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电子元器件知识:IC封装大全宝典

 

电子元器件知识:IC封装大全宝典
 
    1、BGA(ballgridarray) 
 
    球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。 
 
    封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。 
 
    该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 
 
    美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 
 
    GPAC(见OMPAC和GPAC)。 
 
    2、BQFP(quadflatpackagewithbumper) 
 
    带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用 
 
    此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。 
 
    3、碰焊PGA(buttjointpingridarray) 
 
    表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。 
 
    4、C-(ceramic) 
 
    表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 
 
    5、Cerdip 
 
    用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。 
 
    6、Cerquad 
 
    表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
 
    7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier) 
 
    带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。 
 
    带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为 
 
    QFJ、QFJ-G(见QFJ)。 
 
    8、COB(chiponboard) 
 
    板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。 
 
    9、DFP(dualflatpackage) 
 
    双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。 
 
    10、DIC(dualin-lineceramicpackage) 
 
    陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 
 
    11、DIL(dualin-line) 
 
    DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 
 
    12、DIP(dualin-linepackage) 
 
    双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。 
 
    13、DSO(dualsmallout-lint) 
 
    双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。 
 
    14、DICP(dualtapecarrierpackage) 
 
    双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利 
 
    用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。 
 
    15、DIP(dualtapecarrierpackage) 
 
    同上。
 
日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。 
    16、FP(flatpackage) 
 
    扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。 
 
    17、flip-chip 
 
    倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。 
 
    18、FQFP(finepitchquadflatpackage) 
 
    小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。 
 
    19、CPAC(globetoppadarraycarrier) 
 
    美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。 
 
    20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring) 
 
    带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。 
 
    在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208左右。 
 
    21、H-(withheatsink) 
 
    表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。 
 
    22、pingridarray(surfacemounttype) 
 
    表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。 
 
    23、JLCC(J-leadedchipcarrier) 
 
    J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。 
 
    24、LCC(Leadlesschipcarrier) 
 
    无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。 
    25、LGA(landgridarray) 
 
    触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑 
 
    LSI电路。LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。 
 
    26、LOC(leadonchip) 
 
    芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。 
 
    27、LQFP(lowprofilequadflatpackage) 
 
    薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。 
 
    28、L-QUAD 
 
    陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。 
 
    29、MCM(multi-chipmodule) 
 
    多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。 
 
    MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。 
 
    MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 
 
    用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。 
 
    MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。 
 
    布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
点击次数:  更新时间:2013-08-14  【打印此页】  【关闭
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